Examenes de Radiofisica Hospitalaria. Preguntas y respuestas examen RIR (RFH) 2004 - 2005
Autor: PortalesMedicos .com | Publicado:  31/12/2009 | Examenes de Radiofisica. RIR | |
Examenes de Radiofisica Hospitalaria. Preguntas y respuestas examen RIR (RFH) 2004 - 2005 .12

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150. En los metales impuros y en las aleaciones, ¿son los electrones o son los fonones los que transportan la mayor cantidad de calor?:

 

1. Los electrones.

2. Los fonones.

3. Ambos contribuyen de la misma manera.

4. A temperatura ambiente, los electrones.

5. A temperatura ambiente, los fonones.

 

151. El sodio metálico tiene estructura bcc. El espectro de difracción no contiene líneas tales como (100), (300), (111) ó (221), pero sí aparecerán líneas tales como (200), (110) y (222); los índices (h,k,l) están referidos a una celda cúbica. ¿Cuál es la interpretación física del hecho de que desaparece la reflexión (100)?:

 

1. Los planos son completamente distintos.

2. Los planos están alternados pero con factores atómicos de los elementos distintos.

3. Los planos poseen composiciones similares.

4. Los planos tienen idéntica composición pero emiten con diferencia de fase π.

5. Sólo desaparecerá en unas determinadas condiciones de temperatura.

 

152. En un diodo de Silicio, indicar la opción FALSA:

 

1. La diferencia de potencial entre el lado P y el lado N es positiva si está polarizado directamente.

2. La corriente eléctrica que circula es debida a los portadores mayoritarios si está polarizado directamente.

3. La diferencia de potencial entre el lado P y el N es negativo si está polarizado negativamente.

4. Si el diodo está polarizado positivamente la corriente es cero.

5. La corriente inversa de saturación se da si el diodo está polarizado inversamente.

 

153. Para las mismas condiciones de dopado el potencial de la unión PN o potencial de dopado tiene la siguiente dependencia con la temperatura:

 

1. Es proporcional a 1/T.

2. Es proporcional a T.

3. Es proporcional a T2.

4. No depende de la temperatura.

5. Es proporcional a 1/T1/2.

 

154. Señale cuál es la principal diferencia entre un semiconductor intrínseco y uno extrínseco:

 

1. El intrínseco no permite conducir la corriente salvo que se añadan impurezas a su estructura, mientras que el extrínseco siempre tiene cierta conductividad.

2. El intrínseco se consigue añadiendo los átomos de las impurezas entre los átomos del semiconductor, mientras que el extrínseco lleva las impurezas en la capa más externa.

3. En el intrínseco la banda de conducción y la banda de valencia están más próximas que en el extrínseco.

4. El intrínseco es semiconductor puro; el extrínseco se consigue añadiendo al intrínseco impurezas de valencia tres o cinco para aumentar su conductividad.

5. En el intrínseco, los electrones de valencia están siempre ligados a los átomos del cristal; en el extrínseco, hay electrones sobrantes que pasan fácilmente a la banda de conducción.

 

155. En referencia a un diodo, el tiempo de recupeación inversa se define como el espacio de tiempo que transcurre:

 

1. Desde que se inicia la conmutación hasta que el diodo alcanza un grado determinado de desconexión.

2. Desde que se inicia la desconexión hasta que la corriente se reduce hasta un nivel prefijado.

3. Desde que se inicia la desconexión hasta que la corriente alcanza el cero.

4. En pasar del estado on al estado off.

5. En pasar el estado off al estado on.

 

156. ¿Cuántos bornes o electrodos exteriores tiene el diodo de vacío?:

 

1. El diodo posee tres bornes exteriores: uno que corresponde al ánodo o placa y los otros dos a la corriente de calefacción del filamento.

2. El diodo posee dos bornes exteriores: uno que corresponde al ánodo o placa y el otro a la corriente de calefacción del filamento.

3. El diodo posee cuatro bornes exteriores: dos que corresponden al ánodo o placa y los otros dos a la corriente de calefacción del filamento.

4. El diodo posee tres bornes exteriores: uno que corresponde al ánodo o placa y los otros dos a la corriente de enfriamiento del filamento.

5. Todos los bornes son interiores.

 

157. Un circuito de control de sintonía se compone de una resistencia de 100 ohmios en serie con un condensador. El circuito ha sido proyectado para tener a 100 s-1 una impedancia doble que a 300 s-1. ¿Cuál ha de ser la capacidad del condensador?:

 

1. 6.85 μF.

2. 12.25 μF.

3. 5.32 μF.

4. 8.23 μF.

5. 2.72 μF.

 

158. ¿Cómo se denomina un circuito o dispositivo digital, con entradas x1, …, xn, y salidas z1, …, zm, si las salidas en un instante cualquiera están determinadas exclusivamente por las entradas en ese mismo instante?:

 

1. Secuencial.

2. Combinacional.

3. Serial.

4. Sincronizado.

5. Integrado.

 

159. A las ecuaciones diferenciales de primer orden que describen el movimiento de un sistema en función de las coordenadas y de los momentos, se las conoce como ecuaciones de:

 

1. Euler.

2. Lagrange.

3. Hamilton.

4. Maxwell.

5. Levi-Civita.

 

160. En el ámbito de la teoría restringida de la relatividad, a las transformaciones ortogonales producidas en el espacio universal o espacio de Minkowski, se las conoce como transformaciones de:

 

1. Semejanza.

2. Legendre.

3. Galileo.

4. Lorentz.

5. Kepler.

 

161. La función de distribución de velocidades de Maxwell para un gas diluido en equilibrio es independiente respecto de:

 

1. El vector de posición, la masa de las partículas y la temperatura.

2. La velocidad.

3. La dirección de la velocidad y la masa de las partículas.

4. El vector de posición y la temperatura.

5. El vector de posición y la dirección de la velocidad.

 

162. La potencia total radiada por una carga acelerada no relativista es:

 

1. Directamente proporcional al cubo de la aceleración.

2. Directamente proporcional al cuadrado de la aceleración.

3. Directamente proporcional a la raíz cuadrada de la aceleración.

4. Exponencialmente creciente con la aceleración.

5. Directamente proporcional al cuadrado de la velocidad.

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Revista de Medicina y Ciencias de la Salud, de periodicidad quincenal, dirigida a los profesionales de la Salud de habla hispana. ISSN 1886-8924