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229. Para el ángulo β = 90 ± α, se cumple que:

 

1. sen β = sen α.

2. sen β = cos α.

3. sen β = -cos α.

4. sen β = sen (α/2).

5. sen β = -sen α.

 

230. Indicar cuál de las siguientes igualdades trigonométricas es la correcta:

 

1. cosh2(α) + senh2(α) = 1.

2. cos4(α) = (1/8)(cos(4α) + 4cos(2α) + 3).

3. sen2(α) = (1/2)(1 + cos(2α)).

4. sech2(α) - tanh2(α) = 1.

5. sen4(α) = (1/8)(cos(4α) + 4cos(2α)-3).

 

231. ¿Cuál de la siguientes expresiones es FALSA para la delta de Dirac (x)?:

 

1. δ(x) = . ⎩⎨⎧≠=∞0,00,xx

2. = 1. ∫∞∞−)(xdxδ

3. xδ(x) = 1.

4. δ(x) = δ(-x).

5. La delta de Dirac no es una función.

 

232. Dada la ecuación diferencial lineal no homogénea de segundo orden y’’ + y = x3, y siendo A, B, C, D números reales cualesquiera, su solución general es:

 

1. y = A cos x − B sen x + x3 + 6x.

2. y = A cos x + B sen x + x3 − 6x.

3. y = A cos x + B sen x + x3 + x2 + x + C.

4. y = A cos x + B sen x + Cx3 + D6x.

5. y = A cos x − B sen x + Cx3 + D6x.

 

233. La divergencia del campo vectorial F(x,y,z) = (x2 + yz) i + (y2 + xz) j + (z2 + xy) k es:

 

1. 0.

2. 2x i + 2y j + 2z k.

3. 0.

4. 2x + 2y + 2z.

5. (2x + z + y) i + (z + 2y + x) j + (y + x + 2z) k.

 

234. Un sistema está formado por dos componentes A y B. La probabilidad de que funcione A es P(A); de que funcione B es P(B) y de que funcionen A y B simultáneamente es P(A y B). Si el sistema funciona siempre que funcione cualquiera de sus componentes (en este caso A o B), ¿cuál será la probabilidad de funcionamiento del sistema?:

 

1. P(A)·P(B).

2. 1 - P(A)·P(B).

3. P(A)·P(B) – P(A y B).

4. P(A) + P(B) + P(A y B).

5. P(A) + P(B) – P(A y B).

 

235. Una variable aleatoria x está distribuida uniformemente en el intervalo (a,b). El valor esperado de esta variable será:

 

1. b-a.

2. b+a.

3. 1/(b-a).

4. (b+a)/2.

5. (b-a)/2.

 

236. Si se denota T[f(x)] = F(v) como la transformada de Fourier de f(x), ¿cuál de las siguientes igualdades es FALSA en general?:

 

1. T[f1(x) + f2(x)] = F1(v) + F2(v).

2. T[a·f(x)] = a·F(v).

3. T[f *(x)] = F *(v).

4. T[f1(x)·f2(x)] = F1(v) © F2(v) (© es producto de convolución).

5. T[f(a·x)] = |a|-1·F(v/a).

 

237. En FORTRAN, dada la sentencia DO 42 J = 4, 8, 5. Deducir el número de veces que se ejecuta el rango:

 

1. Una vez.

2. Dos veces.

3. Tres veces.

4. No está permitido.

5. Este bucle se ignora.

 

238. UNICODE es un juego de caracteres en el que se emplean para representar cada carácter:

 

1. 1 bytes.

2. 2 bytes.

3. 1 bit.

4. 2 bits.

5. 32 bits.

 

239. ¿Cuál de las siguientes expresiones es INCO-RRECTA en un álgebra de Boole, siendo “+” la suma lógica y “·” el producto lógico?:

 

1. a + a · b = a.

2. a + a · ā = a.

3. a · (a + b) = a.

4. a + ā · b = ā + b.

5. a · (b + ā) = a · b.

 

240. Todas las funciones lógicas se pueden construir utilizando exclusivamente puertas:

 

1. AND o OR.

2. NAND o OR.

3. AND o NOR.

4. NAND o NOR.

5. NAND o EXOR.

 

241. En un semiconductor intrínseco de Si, ¿qué afirmación es correcta?:

 

1. La concentración de huecos aumenta con la temperatura.

2. La conductividad del semiconductor disminuye con la temperatura.

3. La concentración de electrones disminuye apreciablemente con la temperatura.

4. La concentración de electrones es mayor que la concentración de huecos.

5. La resistividad del semiconductor es independiente de la temperatura.

 

242. En un semiconductor extrínseco de Si tipo P, en un entorno de 30ºC de la temperatura ambiente (300ºK), ¿cuál de las siguientes propuestas se cumple?:

 

1. La concentración de huecos aumenta con la temperatura.

2. La conductividad del semiconductor disminuye con la temperatura.

3. La concentración de electrones disminuye con la temperatura.

4. La concentración de electrones es mayor que la concentración de huecos.

5. La resistividad del semiconductor es independiente de la temperatura.

 

243. En un diodo semiconductor de Silicio de unión abrupta, con niveles de dopado NA en la zona P y ND en la zona N, la profundidad:

 

1. De la zona de cargas descubiertas en la zona N es independiente de NA.

2. Total de la zona de cargas descubiertas disminuye con la polarización inversa de la unión.

3. De la zona de cargas descubiertas es independiente de los niveles de dopado de ambas zonas.

4. Total de la zona de cargas descubiertas disminuye con la polarización directa de la unión.

5. De la zona de cargas descubiertas en la zona P es independiente de ND.

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