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219. En general, la resolución energética en los detectores gaseosos de partículas, será:

 

1. Inversamente proporcional al factor de Fano.

2. Directamente proporcional a la raíz cuadrada del factor de Fano.

3. Independiente del factor de Fano.

4. Directamente proporcional al cuadrado de la energía de la partícula.

5. Directamente proporcional a la raíz cuadrada de la energía de la partícula.

 

220. ¿Cuáles son los valores correctos para el Isospín (T) y la Extrañeza (S) del barión Λ0?:

 

1. T = 0; S = 0.

2. T = 0; S = -1.

3. T = 0; S = -2.

4. T = 0; S = -3.

5. T = 1; S = -1.

 

221. Si tenemos un haz de electrones de 2 MeV que interacciona con Pb (Z = 82, A = 207), el cociente entre las pérdidas de energía por radiación y por colisión será del orden de:

 

1. 6%.

2. 23%.

3. 47%.

4. 60%.

5. 80%.

 

222. En cuanto a los coeficientes de absorción Compton en la interacción radiación-materia, podemos decir: (Z = nº atómico).

 

1. Dependen linealmente con Z.

2. Para Z alto son menores que los fotoeléctricos.

3. No dependen de Z.

4. Tienen unidades de área.

5. Siempre son mayores que los de producción de pares.

 

223. ¿Cuál de las siguientes afirmaciones referidas a diodos p-n es cierta?:

 

1. En la condición de polarización directa los portadores minoritarios se incrementan linealmente.

2. En polarización inversa la corriente inversa se debe al flujo de portador minoritario.

3. La corriente de diodo es controlada por medio de la inyección de portador minoritario sobre una barrera de potencial.

4. La recombinación de portadores en la región de agotamiento hace que la corriente de saturación disminuya.

5. Para alta polarización inversa, el diodo puede sufrir ruptura por ruptura Zener donde los electrones se filtran cuánticamente desde la banda de conducción hasta la banda de valencia.

 

224. Cuando en un transistor de unión bipolar la unión emisor-base está directamente polarizada y la unión colector-base se encuentra polarizada inversamente tenemos:

 

1. Modo activo.

2. Modo corte.

3. Modo saturación.

4. Efecto Early.

5. Conmutación.

 

225. En un fotodiodo polarizado inversamente, la detección de la luz se realiza:

 

1. A través de la corriente directa.

2. A través de la corriente inversa.

3. Midiendo la tensión a través del diodo.

4. Evaluando la potencia disipada en el diodo.

5. Valorando el incremento de temperatura del diodo.

 

226. Indicar la opción FALSA en relación a los semiconductores:

 

1. Un semiconductor tipo n posee impurezas donadoras de electrones.

2. Un semiconductor tipo p posee impurezas donadoras de huecos.

3. Una impureza donadora de electrones es un átomo pentavalente.

4. Una impureza donadora de huecos es un átomo trivalente.

5. En un semiconductor tipo n los portadores mayoritarios son huecos.

 

227. Con respecto al diodo de unión pn indicar la respuesta FALSA:

 

1. Un semiconductor intrínseco no tiene un exceso de huecos ni de electrones de conducción.

2. En una unión pn, la p se refiere a que el material semiconductor tiene un exceso de huecos.

3. Un resistor es un dispositivo lineal.

4. Un capacitor es un dispositivo no lineal.

5. En el estado ENCENDIDO, una corriente atraviesa la unión pn bajo la influencia de un proceso de difusión.

 

228. Sean dos contadores A y B, no paralizables, con tiempos muertos de 30 y 100 μs respectivamente. ¿Para qué tasa de cuentas “reales” doblarán las pérdidas por tiempo muerto en el contador B las del A?:

 

1. 9 kc/s.

2. 13 kc/s.

3. 24 kc/s.

4. 56 kc/s.

5. 72 kc/s.

 

229. ¿Cuál es la representación en binario complemento a dos con 8 bits del número -12 en base decimal?:

 

1. 00001100.

2. 11110100.

3. 11110011.

4. 10011010.

5. 10011001.

 

230. El teorema de Thevenin afirma que toda red activa de dos terminales se puede sustituir por un generador de:

 

1. Corriente y una impedancia en paralelo. El valor de la impedancia es igual al valor de impedancia que presenta cuando se anulan todos los generadores de la red.

2. Tensión y una impedancia en paralelo. El valor del generador es la tensión que se tiene entre terminales cuando entre ellos no circula ninguna corriente.

3. Corriente y una impedancia en paralelo. El valor del generador es la corriente que circula por ellos al cortocircuitarlos.

4. Tensión y una impedancia en serie. El valor del generador es la tensión que se tiene entre terminales cuando entre ellos no circula ninguna corriente.

5. Corriente y una impedancia en serie. El valor del generador es la corriente que circula por ellos al cortocircuitarlos.

 

231. Sea un biestable RS asíncrono, conteniendo un estado Qt = 1. Si en ese momento las entradas del mismo son R = 0 y S = 1, su estado futuro (transcurrido el tiempo Δt necesario para que el biestable actualice su salidas) será:

 

1. Qt + Δt = 1.

2. Qt + Δt = 0.

3. Indeterminado, pues su estado futuro depende de la señal de reloj.

4. 0 ó 1, dependiendo de que sea un biestable RS de inscripción prioritaria o de borrado prioritario.

5. Qt + Δt = 1/2, ya que éste es el tercer estado del biestable para la lógica de Lobaieskic.

 

232. Para una memoria caché de capacidad 32KB, ¿Cuántas líneas de caché existen para la longitud de línea de 32 bytes?:

 

1. 512.

2. 1024.

3. 256.

4. 128.

5. 2048.

 

233. Un multiplexor de N a 1 es un circuito combinacional:

1. Con una única entrada, n entradas de selección y 2n = N salidas de información.

2. Que presenta 2n = N entradas, n entradas de selección y una salida de información.

3. Con n entradas y 2n = N salidas; cada una de las salidas es un producto canónico de las entradas.

4. Con 2n = N entradas y n salidas; la salida es el código binario de la entrada activa en ese momento.

5. Con n entradas y 2n = N salidas cuyo valor depende de n biestables RS de memoria.

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